К сожалению, Ваш браузер сильно устарел. Используйте, пожалуйста, Mozilla Firefox или Google Chrome.
18.04.2019

18 апреля 2019 г. (четверг) начало 14:00, Научный центр лазерных материалов и технологий, Институт общей физики РАН (корп. 4), к. 707.

Семинар №170 Научного центра лазерных материалов и технологий ИОФ РАН

руководитель д.ф.-м.н. В.Б. Цветков

Моисеева Людмила Викторовна

Институт общей физики РАН, Москва

Кристаллы, стекла и расплавы галогенидных систем для активных сред лазеров среднего ик диапазона

(по материалам кандидатской диссертации, специальность 05.27.06 – Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники)

Научные руководители:  к.т.н.

                                          к.х.н., доцент Петрова Ольга Борисовна

Работа посвящена поиску, получению и исследованию новых галогенидных кристаллических, стеклообразных и жидких лазерных материалов с коротким фононным спектром. В качестве активных сред лазеров среднего ИК диапазона предложены активированные RE:

- монокристаллы хлорида свинца и двойного хлорида K2LaCl5;
- фторгафнатные хлор- и бромзамещенные стекла в системе HfF4-BaF2-LaF3-AlF3-NaF;
- иодидные стекла в системе AgI-CsI(CsBr), AgI(AgCl)-CsBr;
- иодидные расплавы в системе AlI3-KI(KBr).

Представлены методы глубокой очистки исследованных галогенидных соединений от примесей кислородсодержащих соединений, а также методы выращивания кристаллов и получения стекол и расплавов на основе галогенидных соединений, препятствующие загрязнению их кислородсодержащими примесями.

По вопросам пропусков обращаться по тел. 5-95, +7 (499) 503-87-77-595 E-mail: shukshinve@lst.gpi.ru (Шукшин Владислав)