История ИОФ РАН

Академик А.М. Прохоров

К 100-летию А.М.Прохорова

Структура института

Выборы директора ИОФ РАН

Сотрудники

Информация о зарплатах

Диссертационные советы

Аспирантура

Объявления
     Новости
     Официальные объявления
     Ученый совет ИОФ РАН
     Научные семинары
     Защиты дисcертаций
     Конференции и школы

Симпозиумы и конференции,
         проводимые ИОФ РАН


Конкурсы ИОФ РАН

Иностранный отдел

Научно-образовательный
         центр ИОФ РАН


Центр коллективного
         пользования


Инновационные разработки

Госконтракты

Труды ИОФАН

Начало лазерной эры в СССР

Применение лазеров

Вакансии

Профсоюзный комитет

Фото/видеорепортажи

Досуг

Научные электронные ресурсы

Посмотреть почту

Контакты



Справочные материалы

СОУТ

Госзакупки















    Научные семинары


[05.04.2017]

Основан А.М. Прохоровым в 1950 г
в Лаборатории Колебаний ФИАН

С Е М И Н А Р  №2029

ИНСТИТУТА ОБЩЕЙ ФИЗИКИ ИМ. А.М. ПРОХОРОВА РАН

10 апреля 2017 г

    1. Климовских И.И. (Санкт-Петербургский Государственный Университет)

      ЭЛЕКТРОННАЯ И СПИНОВАЯ СТРУКТУРА СИСТЕМ НА ОСНОВЕ ГРАФЕНА И ТОПОЛОГИЧЕСКИХ ИЗОЛЯТОРОВ

      (по материалам кандидатской диссертации)
      Рецензент: Ельцов К.Н.

      В работе изучаются контакты графена с различными металлами и определяются механизмы модификации конуса Дирака, необходимые для применения графена в современной наноэлектронике. Полученные результаты демонстрируют спин-орбитальное расщепление состояний и создание запрещенной зоны, необходимые для генерации спин-поляризованных токов в графене, а также являющиеся основой для кубитов в квантовых вычислениях. Кроме того, в работе исследуется ряд соединений, являющихся двух- и трехмерными топологическими изоляторами, и выявляются основные факторы, ответственные за эффективность их применения. Анализ результатов показывает возможность управления уникальной структурой Дираковского конуса в трехмерных топологических изоляторах с различным составом, что является необходимым условием создания устройств на их основе. Изучение контактов двух- и трехмерных топологических изоляторов позволяет использовать 1D топологические состояния в качестве каналов для спинового транспорта и передачи информации без потерь на рассеяние.









Начало – в 10.00, корп. №1, конф.-зал
т. 8 499 135-5215,  (заказ пропуска понд.- четв. до 17.30, пятн. до 12.00)