Главная

История ИОФ РАН

Академик А.М. Прохоров

К 100-летию А.М.Прохорова

Структура института

Выборы директора ИОФ РАН

Сотрудники

Информация о зарплатах

Диссертационные советы

Аспирантура

Объявления
     Новости
     Официальные объявления
     Ученый совет ИОФ РАН
     Научные семинары
     Защиты дисcертаций
     Конференции и школы

Симпозиумы и конференции,
         проводимые ИОФ РАН


Конкурсы ИОФ РАН

Конференция молодых
         ученых ИОФ РАН


Иностранный отдел

Научно-образовательный
         центр ИОФ РАН


Центр коллективного
         пользования


Инновационные разработки

Госконтракты

Труды ИОФАН

Начало лазерной эры в СССР

Применение лазеров

Вакансии

Профсоюзный комитет

Фото/видеорепортажи

Досуг

Научные электронные ресурсы

Посмотреть почту

Контакты



Справочные материалы

СОУТ

Госзакупки















    Научные семинары


[30.01.2018]

С Е М И Н А Р №163

НЦЛМТ ИОФ РАН

2 февраля 2018 г.

Руководитель семинара – академик В.В. Осико

  1. Моисеева Людмила Викторовна

    ПОИСКОВЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ АКТИВНЫХ СРЕД ЛАЗЕРОВ СРЕДНЕГО ИК ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ ГАЛОГЕНИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ, СТЕКОЛ И РАСПЛАВОВ
    (по материалам кандидатской диссертации
    специальность 05.27.06 – "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники")


    Научные руководители: к.т.н.  Дмитрук Леонид Николаевич
                                 д.ф.-м.н.    Соболь Александр Александрович

    Работа посвящена поиску, получению и исследованию новых галогенидных кристаллических, стеклообразных и жидких лазерных материалов с коротким фононным спектром. Предложены в качестве активных сред лазеров среднего ИК диапазона:
    - монокристаллы хлорида свинца и двойного хлорида K2LaCl5;
    - фторгафнатные хлор- и бромзамещенные стекла в системе HfF4-BaF2-LaF3-AlF3-NaF;
    - иодидные стекла в системе AgI-CsI(CsBr), AgI(AgCl)-CsBr;
    - иодидные расплавы в системе AlI3-KI(KBr),
    активированные RE.

    Представлены методы глубокой очистки исследованных галогенидных соединений от примесей кислородсодержащих соединений, а также методы выращивания кристаллов и получения стекол и расплавов на основе галогенидных соединений, препятствующие загрязнению их кислородсодержащими примесями..







Начало в 15:00, НЦЛМТ ИОФ РАН (корп. 4), к. 707

По вопросам пропусков обращаться по тел. 5-95, (499) 135-03-01, Шукшин Владислав