Институт общей физики
имени А.М. Прохорова РАН

21 октября 2019 г. 8:00

23.10.2019 (17:00) Научный семинар МГУ по физике конденсированного состояния

Физический факультет МГУ  имени   М.В. Ломоносова   проводит   научный семинар по физике конденсированного состояния.

23 октября 2019 г. в 17:00 .
Аудитория  – многофункциональный зал библиотеки физического факультета
МГУ, 5 этаж. (Москва, Ленинские горы, МГУ имени М.В.Ломоносова, д. 1, стр. 2, Физический факультет)

Виталий Владимирович Кведер
(Институт физики твердого тела РАН имени Ю.С. Осипьяна, Черноголовка)

Свойства  дислокаций  в  кремнии  и  инженерия дефектов для солнечных элементов из мультикристаллического кремнии

"Чистые технологии" и "возобновляемая энергетика" сейчас становятся очень
"горячими" областями инвестиций. Ожидается, что через 20—30 лет солнечная энергетика
войдет в число основных источников электроэнергии для человечества. Более 90%
солнечных элементов изготавливаются из кремния, что связано c его большой
распространенностью в природе, низкой токсичностью и стоимостью, достаточно
большим (до 23%) кпд кремниевых элементов и их длительным сроком службы (более 50
лет).
Основная задача исследований в области солнечной энергетики связана с необходимостью
дальнейшего снижения себестоимости солнечных модулей. Снижение себестоимости
приводит к росту рынка и к стремительному росту производства. Сейчас производство
солнечных батарей растет экспоненциально и удваивается каждые 2 года. За 20 лет
мощность установленных солнечных модулей выросла в 1000 раз и превысила 200 ГВт
Для снижения себестоимости, солнечные элементы пытаются изготавливать из все более
дешевого кремния, содержащего много дефектов и примесей. Изготовление солнечных
элементов с высоким кпд из такого кремния возможно лишь за счет развитие «инженерии
дефектов», основанной на глубоком фундаментальном понимании свойств различных
дефектов и примесей.
Цель доклада – кратко познакомить коллег из смежных областей с некоторыми
свойствами дислокаций в кремнии и особенностями «инженерии дефектов», применяемой
при изготовлении высокоэффективных солнечных элементов из кремния, содержащего
дислокации.

  • V. Kveder, M. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Seibt and W. Schroeter, Applied Physics Letters,

84(12), 2106-2108 (2004)

  • Michael Seibt, Reda Khalil, Vitaly Kveder , Wolfgang Schroeter, ”Electronic states at dislocations and

metal silicide precipitates in crystalline silicon and their role in solar cell materials”, Applied Physics A
96, 235-253 (2009)

  • Michael Seibt and Vitaly Kveder - Chapter 4: in the book “Advanced Silicon Materials for Photovoltaic

Applications”, Edited by Sergio Pizzini, Wiley (John Wiley & Sons Ltd), ISBN 9780470661116,
published in 2012

  • Kveder V., Khorosheva M., Seibt M. «Concerning vacancy defects generated by moving dislocations in

Si» Materials Today: Proceedings 5, 14757–147645 (2018) (DOI: 10.1016/j.matpr.2018.03.065

На семинар приглашаются все  желающие. Пропуск на физический факультет слушателей семинара, не
являющихся   студентами,   аспирантами   или  сотрудниками  МГУ  будет
осуществляться  при  предъявлении паспорта при условии предварительной
записи
     на      семинар      через      интернет      на     сайте
http://physlectures.ru/registration/
(до 15:00 дня семинара).

Для  расширения  возможностей  участия в семинаре будет вестись прямая
он-лайн трансляция заседаний через сайт
http://physlectures.ru/onlineseminar/.
Видеозапись семинара впоследствии будет доступна на сайте
http://cm.phys.msu.ru