Институт общей физики
имени А.М. Прохорова РАН

03.12.2018 (10:00) Семинар ИОФ РАН. Л.Х. Антонова "Радиационные эффекты в композитных высокотемпературных сверхпроводниках"

02.12.2018, Воскресенье

03.12.2018 (понедельник) 10:00. ИОФ РАН, корп. 1, конференц-зал

Семинар Института общей физики им. А.М. Прохорова РАН. №2083

Л.Х.Антонова1, А. В. Троицкий1, Т. Е. Демихов2, В.В.Воронов1,

Е.И.Суворова3, В.А.Скуратов4, В.К.Сёмина4, Г. Н. Михайлова1

1Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН

21Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН

3Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН

4Лаборатория ядерных реакций им. Г.Н.Флерова, ОИЯИ, Дубна

Радиационные эффекты в композитных высокотемпературных сверхпроводниках

Исследовано влияние облучения ионами высоких энергий 132Xe27+ (167 МэВ), 84Kr17+ (107 МэВ), 40Ar8+ (48 МэВ)) и протонами с энергией 2.5 МэВ на критические параметры {(Ic(Ф,В), Tc(Ф), ∆Tc(Ф), Jc(В)} лент ВТСП-2G на базе соединений YBa2Cu3O7-x и GdBa2Cu3O7-x. В рамках моделей SRIM и термического пика проведен расчет пробегов ионов в изучаемых многослойных структурах и теплового режима в образцах под действием излучения. Методами рентгеноструктурного анализа и электронной микроскопии изучены процессы разупорядочения кристаллической решетки сверхпроводника под действием облучения. Проведенные исследования позволили определить радиационную стойкость указанных композитов и выявить в облученных структурах при низких уровнях облучения увеличение критического тока, улучшение адгезии сверхпроводящего слоя к подложке и уменьшение внутренних напряжений. При более высоких флуенсах наблюдается уменьшение критического тока и критической температуры. При дальнейшем возрастании флуенса сверхпроводимость исчезает.
Проведенные исследования имеют большое практическое значение, так как изученные сверхпроводниковые композитные проводники предполагается использовать для создания

Тел.+7(499) 135-5215 (заказ пропуска понед.-четв. до 17.00., пятн.до 12.00)