Институт общей физики
имени А.М. Прохорова РАН

Семинар Института общей физики имени А.М. Прохорова РАН №2114

02.12.2019, Понедельник 10:00 – 12:00

Место проведения: ИОФ РАН, Корп. 1, этаж 3, конференц-зал

Программа

1.

Н.Е.Случанко1 (докладчик), А.Л.Хорошилов1, В.В.Глушков1, С.В.Демишев1, К.М.Красиков1, А.В.Богач1, В.Н.Краснорусский1,

С.Ю.Гаврилкин2, Н.Ю.Шицевалова3, В.Б.Филиппов3, С.Габани4 (S. Gabani), К.Флахбарт4(K. Flachbart)

1Институт общей физики имени А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия (Отдел низких температур и криогенной техники)

2Физический институт имени П.Н. Лебедева РАН, Москва, Россия

3Институт проблем материаловедения имени И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

4Institute of Experimental Physics, Slovak Academy of Sciences, Košice, Slovak Republic

Анизотропия мальтийского креста в антиферромагнитных металлах HoxLu1-x B12 с динамическими зарядовыми страйпами

Модельные сильно коррелированные электронные системы  HoxLu1-x B12, в которых обнаружена кооперативная динамическая ян-теллеровская неустойчивость жесткого борного каркаса в сочетании с квазилокальными «погремушечными» (rattling) модами редкоземельных ионов Ho (Lu),  динамическими зарядовыми страйпами и несоразмерной 4q-антиферромагнитной (AF) структурой, детально исследованы при низких температурах с помощью измерений магнетосопротивления (Δρ/ρ), намагниченности и теплоемкости. Для этих неравновесных AF-металлов впервые получены угловые магнитные  фазовые диаграммы H-φ-T в форме «мальтийского креста». Показано, что резкое понижение симметрии в основном AF состоянии в этих редкоземельных додекаборидах с ГЦК-кристаллической структурой следует связать с перераспределением электронной плотности носителей заряда от РККИ  осцилляций спиновой плотности к динамическим зарядовым страйпам, что обусловливает подавление непрямого обменного взаимодействия между магнитными моментами ионов Ho3+ и приводит к появлению множества различных магнитных фаз и фазовых переходов в AF состоянии.

2. 

С.Н. Сметанин1(докладчик), П.Г. Зверев1, Л.И. Ивлева1, В.Е. Шукшин1, Е.Э. Дунаева1, И.С. Воронина1, В. Кубечек2(V. Kubecek)

1Институт общей физики имени А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия (Отдел лазерных материалов и фотоники)
2Czech Technical University, Prague, Czech Republic

Вынужденное комбинационное рассеяние в кристаллах при синхронной пикосекундной накачке с экстремальным сжатием импульсов излучения

Предложен метод экстремального сжатия импульсов излучения до обратной ширины наиболее уширенной колебательной моды кристалла при вынужденном комбинационном рассеянии (ВКР) с каскадным сдвигом частоты сначала на высокочастотной, наиболее интенсивной колебательной моде, а потом на низкочастотной, наиболее уширенной колебательной моде под действием синхронной накачки повторяющимися сверхкороткими лазерными импульсами. Представлено сравнительное исследование характеристик каскадного ВКР в кристаллах с тетрагональной структурой типа шеелита (BaWO4, SrWO4 и SrMoO4) и циркона (YVO4 и GdVO4) на комбинированных первой (полносимметричное “дышащее” колебание с частотой около 900 см – 1) и второй (симметричное деформационное колебание с частотой около 300 см – 1) модах внутренних колебаний анионных групп при синхронной пикосекундной накачке. Показано, что использование кристаллов SrMoO4, SrWO4 и GdVO4 наиболее перспективно для ВКР на комбинированных колебательных модах благодаря не только высокой интенсивности как первой, так и второй колебательных мод, но и наибольшей спектральной ширине второй (деформационной) колебательной моды более 9 см – 1, что обеспечило наибольшее сжатие (более чем в 30 раз) ВКР-импульсов короче 1 пс (860 фс в кристалле GdVO4).