Главной целью ЦКП является повышение уровня научных исследований путем формирования современных исследовательских комплексов
в области нанотехнологий, отвечающих мировым стандартам по техническим и эксплуатационным характеристикам приборного состава.
Предназначен для исследования свойств материалов, позволяет получить фазовый портрет микрообъекта, то есть распределение оптической разности хода лучей в интерферометре, соответствующее геометрическому рельефу измеряемого объекта. Сверхвысокое оптическое разрешение. Количественная 3D информация об оптических и геометрических свойствах измеряемого объекта. Возможность исследования динамических характеристик объекта. Возможность визуализации оптических анизотропных структур со сверхвысоким разрешением.
Стоимость работ 1600 р/ч.
Способен решать обширный спектр исследовательских задач, идеально подходит для высокочувствительных флуоресцентных исследований по глубине живых образцов или организмов. Возможны следующие применения: временные серии изображений, мультифлуоресцентное изображение, спектральное разрешение флуоресцентного сигнала, количественная колоколизация, микроскопия в проходящем свете, FRET анализ.
Комплектация:
Сканирующий модуль LSM 710 представлен двумя GaAsP одноканальными высокочувствительными детектора и 32-х канальным спектральным детектором, что позволяет параллельно захватывать флуоресцентный сигнал в диапазоне 400-750 нм. 32-х канальный спектральный детектор позволяет выбирать диапазон регистрации сигнала с разрешением до 3 нм (последоват. сканирование) и 10 нм (параллельное сканирование). Детектор проходящего света.Три NDD детектора.Моторизованный конфокальный pinhole с плавной регулировкой диаметра и координат.Лазеры для возбуждения флуоресценции: Ar-лазер (458, 488, 514 нм) 25 мВт; DPSS-лазер (561 нм) 20 мВт; HeNe-лазер (633 нм) 5 мВт; фемтосекундный лазер Chameleon Ultra II (Coherent, США) с перестраиваемым диапазоном длин волн 690-1060 нм, 140 фс, 80 МГц, 0.2-3.5 Вт для мультифотонного возбуждения флуоресценции.
Стоимость работ 1600 р/ч.
Предназначен для исследования геометрии поверхности металлов, полупроводников, керамики и других не органических веществ.
Разрешение по X-Y 10 нм, разрешение по Z 1 нм.
Стоимость работ 2200 р/ч
Центрифуга CPS Disc
Центрифуга CPS Disc представляет собой полную систему анализа размеров частиц с высоким разрешением. Диапазон размеров частиц от 0,005 до ~75 микрон.
Стоимость работ 1200 р/ч.
Рентгеновский дифрактометр общего назначения Bruker D8 Discover A25 DaVinsi Design. Предназначен для исследования структуры материалов. Позволяет определить фазовый состав, параметры элементарной ячейки, размеры нанокристаллитов для поликристаллических и порошковых образцов. Ориентация монокристаллов. Высокотемпературная камера HTK 1200N позволяет проводить измерения от комнатной температуры до 1200 0С на воздухе и в вакууме.
Стоимость работ 3600 р/ч.
Основные технические характеристики:
Стоимость работ 1500 р/ч.
Назначение:
ионное травление и полировка образцов для дальнейшего исследования в просвечивающей электронной микроскопии.
Диапазон угла фрезеровки: от 0° до 45°
Рабочий газ: аргон
Диапазон напряжений и токов ионного источника: 0.7 – 6 кВ, 3 – 8 мA
Плотность тока: 400 microamps/cm2
Стоимость работ 800 р/ч.
Leica EM TIC020 - Система трехлучевого ионного травления материалов на большую глубину. Система использует принцип одновременного поперечного травления с трех направлений для подготовки поверхности для SEM и AFM исследований, а также проведения EDS, WDS, Auger и EBSD анализа.
Держатель образцов позволяет обрабатывать образцы с размерами до 50х50х10 мм. Для работы на системе требуется минимальная предварительная механическая подготовка образца. К функциональным особенностям прибора можно отнести 3 Ar ионных пушки, столик, перемещающийся в трех направлениях и встроенный стереомикроскоп
Стоимость работ 1300 р/ч.
Leica EM TXP – Универсальная система для механической подготовки поверхности
Leica EM TXP - универсальная установка для механической прецизионной подготовки поверхности образцов зеркального качества для TEM, SEM и LM исследований.
Интегрированный стереомикроскоп с масштабной сеткой и регулировка угла наклона держателя образцов – 0° - 60° (по отношению к оси вращения фрезы) обеспечивает полный контроль процесса подготовки образца
После проведения операций по подготовке образца, с помощью встроенного микроскопа можно провести контроль качества полученной поверхности, нет необходимости переносить образец на другой прибор.
Стоимость работ 900 р/ч.
Основные характеристики микроскопа:
Ускоряющее напряжение: 200 кВ
Увеличение:
Предельное разрешение:
Разрешение спектрометра СХПЭЭ (EELS):
Методы:
Области применения:
Стоимость работ 1600 р/ч.
GPI-300 представляет собой сверхвысоковакуумный сканирующий туннельный микроскоп, позволяющий получать атомно-разрешенные изображения проводящей поверхности при комнатной температуре образца. Прибор может быть использован для изучения любых поверхностных процессов в режиме in vivo. Данный прибор имеет целый ряд отличительных черт, позволяющих легко использовать его в комбинации с другими методами анализа или технологии в контролируемых условиях сверхвысокого вакуума.
В частности,
Области применения:
Стоимость работ 3600 р/ч.
Научно-исследовательский нанотехнологический комплекс на основе сверхвысоковакуумного центра для исследования поверхности Riber SSC2 (камера молекулярно-лучевой эпитаксии — Riber EVA 32), интегрированного со сверхвысоковакуумным сканирующим туннельным микроскопом GPI-300.
Данный комплекс уникален для России и является одним из немногих столь же мощных исследовательских инструментов в мире. Он введен в эксплуатацию в 2006 г. В состав комплекса, созданного в ИОФ РАН на базе сверхвысоковакуумного (СВВ) центра для исследования поверхности Riber SSC2, входят:
Комплекс позволяет последовательно исследовать образец различными физическими методами, производить технологические обработки, снова исследовать образец и т.д. При этом образец никогда не покидает условий СВВ. Исследования методом ДБОЭ могут проводиться во время технологических процессов (in situ). Поскольку образец не покидает условий СВВ, его исследования методом СТМ до и после обработок проводятся с атомным разрешением. Качество СТМ столь высоко, что атомное разрешение реализуется как на гладкой поверхности образца (например, на чистой поверхности монокристаллического Si или Ge), так и при исследовании объектов с высокой шероховатостью, таких как массивы квантовых точек или нанокристаллические пленки. Из сказанного выше ясно, что данный инструмент наивысшим в РФ качеством на пределе возможностей современного научного оборудования.
Стенд для измерения спектральной зависимости чувствительности элементов матричных ИК фотодетекторов.