ИОФ РАН
Заседание № 1698 семинара им. А.А. Рухадзе теоретического отдела состоится в среду, 18 февраля 2026 г., в 13:00
Семинар ТО проходит в смешанном режиме. Для сотрудников ИОФ РАН и докладчиков — в конференц-зале корпуса № 1, для гостей — онлайн.
Семинар будет проходить с использованием сервиса Zoom.
По вопросам выступления на семинаре, заказа пропусков (желательно не позже, чем за два дня) и участия в онлайн формате обращаться к Таракановой Елене Николаевне lena@fpl.gpi.ru
Повестка дня:
1. Ларионов Ю.В. (Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН)
Формирование электрических зарядов в нанометровых канавках при сканировании их пучком низковольтного РЭМ
При формировании «трехмерных» топологических структур методами нанотехнологии возникает проблема оценки величины поверхостных электрических зарядов в узких щелевидных канавках. Особенно на их боковых стенках (БС). Заряды искажают РЭМ-изображения этих структур, приводя к погрешности измерения их размеров. Они также изменяют адгезию слоев, осаждаемых на БС канавок, вызывая технологичесий брак.
Работа посвящена контролю формирования зарядов в наноканавках, наводимых низковольтным РЭМ. Выявилось, что его пучок наводит заряды на всех участках их профиля, которые вызываются вторичными электронами (ВЭ), эмитированными из облучаемых участков и захватываемыми затем поверхностными ловушками. ВЭ способны распространяться вдоль канавок на значительное расстояние, попутно наводя заряды на участках наноканавок, расположенных вдоль направления рассеяния. Заряды распределены неравномерно по площади, формируя «зарядовый профиль» на участках канавок.
Наведенные заряды изменяют эмиссию ВЭ, формирующих РЭМ- изображение наноструктур. Поэтому вариация формы кривой ВидеоСигнала (ВС) на РЭМ -изображении канавки при смене условий сканирования свидетельствует об изменении зарядового профиля участков. Его учет повышает точность измерения геометрического профиля канавок, а поэтому и их размеров. Учет наведенных зарядов позволит также прогнозировать вариацию адгезионных свойств БС при формировании трехмерных топологических структур.