РЕДКОЛЛЕГИЯ ЖУРНАЛА PHYSICS OF WAVE PHENOMENA
приглашает Вас принять участие в семинаре
СЕМИНАР № 3 «Физика волновых явлений»
Руководитель: академик И.А. Щербаков
1. Спонтанное формирование 3 мм скин-слоя воды с новыми свойствами
Першин С.М., Степанов Е.В., Артёмова Д.Г., Гришин М.Я., Болдин Г.А.
Открыта новая аномалия: спонтанное формирование при комнатной температуре 3 мм скин-слоя дистиллированной воды с новыми свойствами. Динамика роста слоя занимает ~4 часа и сопровождается увеличением поверхностного натяжения и высоты мениска в капиллярах до 25%. Обнаружен переход «хаос – порядок» по росту компоненты льда (~3200 см−1) в OH-полосе комбинационного рассеяния и снижению коэффициента упругого рассеяния Рэлея и его флуктуаций. Выявлено замедление скорости звука по уменьшению сдвига компоненты вынужденного рассеяния Мандельштама – Бриллюэна (ВРМБ). Обсуждается роль слоя как зоны конверсии спин-изомеров Н2О для обеспечения фотомолекулярного эффекта: четырёхкратного повышения скорости испарения воды при облучении Солнцем, обнаруженного в 2023–2024 в Массачусетском технологическом институте США (MIT, USA).
2. Исследование динамики возбуждённых состояний фотосистемы 1 из Arthrospira platensis в экспериментах накачка – зондирование с фемтосекундным временным разрешением.
Пищальников Р.Ю., Компанец В.О., Козловский С.В., Чекалин С.В., Разживин А.П.
Методом «накачка – зондирование» с фемтосекундным временным разрешением было проведено исследование особенностей возбуждённых состояний фотосинтетического пигмент-белкового комплекса фотосистемы 1 (ФС1) при комнатной температуре. Известно, что основные пигменты ФС1 – хлорофиллы, взаимодействуя между собой и белковым окружением, посредством поглощения квантов света, обеспечивают транспорт электронов через тилакоидную мембрану. Измерения с фемтосекундным разрешением позволили прояснить механизм работы реакционного центра ФС1 в окисленном и восстановленном состояниях.
Понедельник 30 марта 2026 года. Начало в 16:00
Конференц-зал Института общей физики им. А.М. Прохорова (1-й корпус, 3-й этаж).
По вопросам пропусков обращаться по тел. +7(499) 503-87-77-595
E-mail: shukshinve@lst.gpi.ru (Владислав Шукшин)
ИОФ РАН