Please enable JS

2-я Конференция Квантовые материалы и технологии на нанометровой шкале, ИОФ РАН, Москва, Россия, 26 ноября 2020

15 Октября 2020

Логотип конференции

Федеральный исследовательский центр «Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук» и Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина Российской академии наук 26 ноября 2020 г. проводят вторую однодневную конференцию «Квантовые материалы и технологии на нанометровой шкале».

Первое информационное сообщение

Второе информационное сообщение

Образец оформления тезисов докладов

Тематика конференции включает в себя следующие основные направления:

  • Перспективные наноматериалы и наноструктуры, полученные при высоких
    давлениях.
  • Свойства сильно коррелированных электронных систем на наномасштабах.
  • Новые квантовые технологии.
  • Полупроводниковые, магнитные, сверхпроводящие наносистемы, в том числе низкоразмерные системы.

Программный комитет

В.В. Бражкин, академик РАН (ИФВД РАН) (со-председатель)

С.В. Демишев, д.ф.-м.н. (ИОФ РАН) (со-председатель)

И.В. Кукушкин, академик РАН (ИФТТ РАН)

В.В. Кведер, академик РАН (ИФТТ РАН)

Н.С. Аверкиев, д.ф.-м.н. (ФТИ РАН)

П.И. Арсеев, чл.-корр. РАН (ФИАН)

В.Н. Рыжов, д.ф.-м.н. (ИФВД РАН)

В.В. Глушков, д.ф.-м.н. (ИОФ РАН)

В.А. Давыдов, д.х.н. (ИФВД РАН)


Оргкомитет

С.В. Демишев, д.ф.-м.н. (ИОФ РАН) (председатель)

В.В. Бражкин, академик РАН (ИФВД РАН)

В.В. Глушков, д.ф.-м.н. (ИОФ РАН)

Е.В. Захарова (ИОФ РАН)

Т.В. Валянская, к.ф.-м.н. (ИФВД РАН)

Л.Б. Солодухина (ИФВД РАН)


На конференции будут заслушаны устные приглашенные доклады (регламент выступления 20-25 мин). Для молодых ученых будет предоставлена возможность принять участие в стендовой сессии, составленной из докладов, отобранных программным комитетом.

Конференция будет проходить в Институте общей физики им. А.М. Прохорова РАН.

Адрес: г. Москва, ул. Вавилова, д. 38.

Схема проезда

Для участия в конференции и оформления пропуска для прохода на территорию института необходимо зарегистрироваться:

РЕГИСТРАЦИЯ

Необходимо заполнить поля формы (поля, отмеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения). В соответствующем поле необходимо выбрать формат участия в конференции: приглашенный доклад, стендовый доклад, участник (если планируется участие без доклада).

При наличии доклада необходимо загрузить тезисы доклада (в указанном формате) в соответствующем поле.

После регистрации на указанный Вами электронный адрес поступит подтверждение регистрации. В случае возникновения проблем с регистрацией, просьба написать организаторам по адресу: elena.zakharova.office@gmail.com (Елена Владимировна Захарова). В теме письма указать название конференции.

Учитывая сжатые сроки подготовки программы конференции и сборника тезисов, программный комитет просит участников конференции зарегистрироваться и представить тезисы докладов не позднее 30 октября 2020 г.

Веб-страница конференции.

Список приглашенных докладчиков (предварительный)

А.С. Мельников (Институт физики микроструктур, Нижний Новгород) Топологическая сверхпроводимость.

В.А. Давыдов (ИФВД РАН, Троицк) Низконапряженные наноалмазы с примесно-вакансионными оптическими центрами: синтез, исследование свойств.

Е.А. Екимов (ИФВД РАН, Троицк) Размерно-контролируемый синтез наноалмазов в гетероуглеводородных системах под давлением.

А.В. Цвященко (ИФВД РАН, Троицк) Изучение локальных сверхтонких взаимодействий в сильно коррелированных электронных системах методом возмущенных угловых гамма-гамма корреляций.

С.В.Демишев (ИОФ РАН, Москва). Спин-флуктуационные переходы. Что это такое и где они бывают?

Б.А. Андрюшечкин (ИОФ РАН, Москва). Наноструктурирование поверхности металлов при воздействии галогенов: исследования на атомном уровне.

Н.Е. Случанко (ИОФ РАН, Москва). Динамические зарядовые страйпы в редкоземельных гекса- и додекаборидах.

Е.А. Константинова (МГУ, Москва). Динамика носителей заряда в наноструктурах на основе оксидов титана, молибдена, вольфрама и ванадия.

С.В. Стрельцов (Институт физики металлов РАН, Екатеринбург). Орбитальные степени свободы в физике конденсированного состояния.

Э.В. Девятов (ИФТТ РАН, Черноголовка). Перенос Джозефсоновского тока поверхностными состояниями топологических вейлевских полуметаллов.

К.С. Денисов (ФТИ РАН, Санкт-Петербург). Особенности электронного транспорта в магнитных наногетероструктурах в условиях флуктуаций магнитных скирмионов.

К.А. Барышников (ФТИ РАН, Санкт-Петербург). Магнетосопротивление трехмерных материалов с протяженными дефектами: влияние геометрии магнитного поля и эффектов памяти.

П.В. Петров (ФТИ РАН, Санкт-Петербург). Фаза спиново-зарядового стекла в магнитных и немагнитных полупроводниках. Магнитный фазовый переход под влиянием электростатических флуктуаций.

И.В. Крайнов (ФТИ РАН, Санкт-Петербург). Косвенное обменное взаимодействие в одномерных кристаллах с беспорядком.


Другие записи