Семинар Института общей физики имени А.М. Прохорова РАН №2122
10.02.2020, Понедельник 10:00 – 12:00
Место проведения: ИОФ РАН, корп. 1, этаж 3, конференц-зал.
Повестка дня
1.
Егорова Ольга Николаевна
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
Активированные редкоземельными ионами композитные волоконные световоды,
изготовленные методом спекания фосфатного стекла в трубке из кварцевого стекла
В настоящее время наиболее широко используемым материалом для создания активных волоконных световодов для лазеров и усилителей является кварцевое стекло. Это связано с такими уникальными свойствами кварцевого стекла, как малые оптические потери, устойчивость к воздействию внешних факторов, высокая механическая прочность и другие. Однако в связи с особенностями структуры кварцевого стекла оно не допускает введения высокой концентрации активных редкоземельных ионов. В фосфатном стекле, напротив, может быть достигнута гораздо большая концентрация активных редкоземельных ионов, однако оно уступает кварцевому стеклу по ряду других характеристик, важных с точки зрения создания волоконных световодов. В настоящем докладе представлены результаты исследований нового, разработанного в ИОФ РАН совместно с НЦВО РАН, типа волоконных световодов, изготовленных методом спекания фосфатного стекла в трубке из кварцевого стекла. В световодах такого типа, с одной стороны, благодаря наличию сердцевины, изготовленной из фосфатного стекла, может быть достигнута высокая концентрация активных редкоземельных ионов. Это позволяет сократить рабочую длину активного световода что важно для ряда задач. С другой стороны, оболочка из кварцевого стекла позволяет получать световоды, по простоте использования и механической прочности аналогичные световодам из кварцевого стекла. В работе показана возможность изготовления таких световодов с приемлемыми оптическими и механическими характеристиками и высоким уровнем эффективности лазерной генерации, а также создание устройств на их основе. Полученные результаты демонстрируют потенциал такого типа световодов для создания волоконных лазеров и усилителей, а также других применений.
2.
П. С. Стрелков1(докладчик), В. П. Тараканов2, Д. Е. Диас Михайлова1, И. Е. Иванов1, Д. В. Шумейко1
1 Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2 Объединенный Институт Высоких температур РАН, Москва, Россия
Плазменный релятивистский источник сверхширокополосного СВЧ-излучения
Источник СВЧ-излучения называется сверхширокополосным, если отношение ширины спектра излучения к величине средней частоты спектра превышает 0,2. Известны мощные источники сверхширокополосного излучения, принцип действия которых основан на преобразовании мощного высоковольтного электрического видеоимпульса с характерной длительностью 1 нс и характерной средней частотой 1 ГГц в электромагнитное излучение. Средняя частота импульса шумового излучения такого СШП-источника определяется его длительностью. Повышение средней частоты излучения достигается за счёт уменьшения длительности видеоимпульса и неизбежно приводит к уменьшению энергии СВЧ-импульса.
Плазменный релятивистский источник сверхширокополосного электромагнитного излучения, основан на усилении собственных шумов релятивистского электронного пучка (РЭП) при инжекции его в плазму. Принципиальное физическое отличие плазменного сверхширокополосного СВЧ-источника состоит в том, что средняя частота СВЧ-импульса определяется плотностью плазмы, а энергия СВЧ-импульса растёт с ростом длительности импульса тока РЭП. Указанные особенности плазменного СШП источника позволили получить СВЧ импульсы с энергией, превышающей 5 Дж (вместо 0.3 Дж в традиционных мощных СШП источниках), а также осуществить перестройку средней частоты излучения от импульса к импульсу в широких пределах - от 2 до 3.5 ГГц при постоянном уровне энергии СВЧ импульсов.
________________________________________________________________
Тел.+7 (499) 503 87 77, доб.473
Заказ пропуска понедельник - четверг до 17:00, пятница до 12:00