ИОФ РАН
11.03.2020
Дата: 11 марта 2020 года (среда), 10:00.
Место: ИОФ РАН, корп. 1, к. 301.
Программа
А.В. Кирьянов1, 2
1Centro de Investigaciones en Optica, Leon, Mexico
2Национальный университет науки и технологии «МИСИС»
Влияние облучения электронным пучком на оптические свойства
фосфосиликатного волокна, легированного висмутом
Сообщается об изменениях в поглощательных и эмиссионных свойствах
фосфосиликатного волокна, со-легированного висмутом и иттрием,
возникающих в результате облучения пучком высокоэнергетических
электронов. Несмотря на резкий рост индуцированного поглощения в
волокне после его облучения, достигающего 2000 дБ/м в видимом
диапазоне спектра, выявлена его относительная устойчивость (при дозах
воздействия до 1014 см−2) с точки зрения эмиссионного потенциала в
видимом и ближнем ИК диапазоне, а также контраста просветления на
длинах волн накачки, попадающих в основные полосы поглощения активных
висмутовых центров. Кроме того, обнаружен новый эффект значительного
спектрального сдвига в Стоксову сторону (до 75 нм) длины волны отсечки
волокна в зависимости от дозы облучения, возникающего, как показано,
из-за заметного роста индекса рефракции в области его сердцевины.
___________________________________________________________
По всем вопросам выступления на семинаре и заказа пропусков
(желательно не позже, чем за два дня) обращаться к Николаевой Гульнаре
по электронной почте: homa1971@gmail.com.
Для заказа пропуска необходимо указать ФИО полностью и место работы.
Для прохода на территорию ИОФ РАН необходимо иметь с собой действующий
российский паспорт.